連續(xù)式真空濺鍍系統(tǒng)
連續(xù)式真空濺鍍系統(tǒng)
副標題
產(chǎn)品優(yōu)勢
1.沉積的薄膜具有高均勻性，高孔洞/側(cè)壁覆蓋率，高附著力的性能特征。
2.采用的濺射技術(shù)制程溫度低，有效降低了對基底的熱損傷風險。
3.可在ABF/EMC/PID等多種基底材料上沉積各種類型的薄膜，應用廣泛。
4.適應大尺寸工件的高效批量加工，提高生產(chǎn)效率，滿足高產(chǎn)能需求。
5.定制化腔體設(shè)計，實現(xiàn)濺鍍系統(tǒng)的個性化配置，滿足特定的生產(chǎn)需求。
產(chǎn)品應用
產(chǎn)品應用
副標題
可處理芯片或晶圓
極佳的薄膜結(jié)合力
大幅降低熱阻
產(chǎn)能 : 20min/Tray
Thermal Dissipation
高鍍膜均勻性
連續(xù)式高產(chǎn)能
高孔洞 / 側(cè)壁覆蓋率
制程溫度 <99℃
SiP EMI
材料 : PID,PR,DR
產(chǎn)能 : 每 150sec 產(chǎn)出一面
U%< 10%
High Aspect Ration Etch
Plasma Etcher
ABF/EMC/PID
高水氣移除率
拉力測試 >4N
產(chǎn)能 : 每 120sec 產(chǎn)出一面
Seeding Sputter
濺鍍在 Package/FO-PLP 的應用
濺鍍在 SiP EMI 的應用
EMI 可以防止電磁干擾或射頻干擾對敏感電子器件的沖擊，這是通過使用金屬屏來吸收通過空氣傳播的電磁干擾來實現(xiàn)的。SiP 將多種型號合并在一起，包括 RF 組件和天線。
SUS
Cu
EMC
規(guī)格參數(shù)
規(guī)格參數(shù)
副標題
| 項目 | 內(nèi)容 |
| 基板材料類型 | Si晶圓、陶瓷、玻璃、ABF、EMC、PID等 |
| 靶材類型 | 金屬、氧化物、硅化物等 |
| 鍍膜厚度均勻性 | ±5％ |
| 真空度 | 10-7Torr |
|
|